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西安智盈电气科技有限公司

电力电子测试设备,半导体测试设备,可控硅,碳化硅,

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可控硅综合参数测试仪 供应
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产品: 浏览次数:354可控硅综合参数测试仪 供应 
品牌: 西安智盈科技
型号: DBC-112
电源功率: 小于5KW
电网电压: AC220V±10%
单价: 10000.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量: 10 台
发货期限: 自买家付款之日起 60 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-05-07 11:16
  询价
详细信息

、产品简介

该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。

 该套测试设备主要有以下几个单元组成:

1)       门极触发参数测试单元

2)       维持电流测试单元

3)       阻断参数测试单元

4)       通态压降参数测试单元

5)       电压上升率参数测试单元

6)       擎住电流

7)       门极电阻

8)       计算机控制系统

9)       合格证标签打印

10)  夹具单元;包含平板夹具和模块夹具

二、技术条件

主要技术指标:

  2.1  门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

1.  阳极电压:12V;

2.  阳极串联电阻:6Ω;

3.  门极触发电压:0.35.00V±3%±10mV;

4.  门极触发电流:2450mA±3%±1 mA;

2.2  维持电流测试单元IH

1. 阳极电压:12V;

2. 预导通电流: >10A,正弦衰减波;

3. 维持电流: 2450mA  ±5%±1 mA;

4. 测试频率:单次;

2.3  通态压降测试单元VTM

1.     平板器件通态电流:0.105.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

2.     模块器件通态电流:0.102.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

3.  电流上升沿时间:5ms

4.  通态压降测试范围: 0.2010.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

5.  测试频率:单次;

2.4  断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

1.  阻断电压:0.206.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%

模块单元阻断电压:0.204.00kV

2. 正反向自动测试

3.正/反向漏电流:0.2100 mA,分辨率:0.1 mA

精度:±5%±1 mA

4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护。  

5. 测试频率: 50HZ

2.5  断态电压临界上升率测试单元dv/dt

1.  电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度±5%

2电压过冲范围:<50V±10%

3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs1000V/μs1200V/μs、精度±10%

2.6  擎住电流IL100-1800mA

2.7  平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式

(供应给 陕西电力电子)

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